Полное описание

Категория продукта:

MOSFET

ТЕХНОЛОГИЯ:

Si

Способ монтажа:

SMD/SMT

Упаковка /Кейс:

D2PAK-3

Полярность транзистора:

N-канал

Количество каналов:

1 канал

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

200 В

Id - постоянный ток стока:

24 А

Сопротивление Rds на стоке-истоке:

77,5 Мом

Напряжение Vgs - Затвор-Источник:

- 20 V, + 20 V

Пороговое напряжение источника с th-затвором Vgs:

5 В

Заряд Qg- затвора:

38 nC

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Максимальная рабочая температура:

+ 175 C

Pd - рассеиваемая мощность:

144 W

Режим канала:

Улучшение

Упаковка:

Катушка

Упаковка:

Разрезанная лента

Упаковка:

Указатель мыши

Бренд:

Infineon Technologies

Конфигурация:

Единый

Время спада:

14,8 нс

Время прямой передачи - мин:

37 С

Высота:

2,3 мм

Длина:

6,5 мм

Тип продукта:

MOSFET

Время нарастания:

22,4 нс

Количество в заводской упаковке:

800

Подкатегория:

МОП-транзисторы

Тип транзистора:

1 N-канальный

Типичное время задержки выключения:

25,4 нс

Типичное время задержки включения:

13,4 нс

Ширина:

6,22 мм

Вес устройства:

0,139332 унции